علمی

.estp-changedby-essin a{color:#2E2EFE !important} .estp-changedby-essin a{color:#2E2EFE !important} (2-76)پاسخ زمانی WG-SACM-APD برای سطوح و گین تکثیر مختلف در شکل (2-17) نشان داده شده است. همان طور که در شکل دیده می شود با... متن کامل

.estp-changedby-essin a{color:#2E2EFE !important} .estp-changedby-essin a{color:#2E2EFE !important} از روابط (2-18)، (2-19)، (2-20) و (2-26) مدار معادل آشکارساز PIN به صورت زیر حاصل می شود که Rs مقاومت سری پارازیتی می باشد.شکل (2-2) مدل مداری... متن کامل

.estp-changedby-essin a{color:#2E2EFE !important} .estp-changedby-essin a{color:#2E2EFE !important} 2-3- آنالیز و مدلسازی WG_SACM_APD آشکارساز های موجبری (WGPDs) به جهت بهبود یافتن بازده کوانتومی و زمان گذار کم در مقایسه با آشکارسازهای... متن کامل

.estp-changedby-essin a{color:#2E2EFE !important} .estp-changedby-essin a{color:#2E2EFE !important} که VB ولتاژ شکست، T0 دمای کار آشکارساز و a عدد ثابتی است که از منحنیهای تجربی بهره بر حسب دما بدست می آید. تغییرات ضریب n با دما... متن کامل

.estp-changedby-essin a{color:#2E2EFE !important} .estp-changedby-essin a{color:#2E2EFE !important} 1-3-1- آشکار ساز SAM :آشکار سازهای APD از پدیده بهمنی استفاده میکنند و به همین دلیل دارای گین بالا و حساسیت زیاد می باشند. از این... متن کامل

.estp-changedby-essin a{color:#2E2EFE !important} .estp-changedby-essin a{color:#2E2EFE !important} شکل (3-12) مشخصه گین-پهنای باند WG-SACM-APD برای Rl=50Ω و Ls=0 برای xa از 50 تا 250nm 102 شکل(3-13) پهنای باند بر حسب ضخامت لایه تکثیر برای xa های... متن کامل